美光在2026年度技术网络研讨会上披露了闪存业务的最新规划，涉及NAND与SSD领域。该公司于当地时间10月21日举办了这一活动。
美光预告了G11 NAND闪存，预计将在2027年下半年进入产能爬坡阶段。这家企业似乎直接跳过了G10这一代产品。
G11 NAND的层数超过400层，采用了晶圆对晶圆键合技术。其按面积计算的存储密度约为当前276层G9 NAND的两倍，同时I/O速率最高可提升1.5倍，数据传输能耗则能降低25%以上。
在G11之后，美光计划在NAND中引入突破性的高迁移率材料，以实现更密集的单元架构，并进一步强化节能特性。
美光还介绍了两种面向AI级数据中心场景的NAND设计：一种是基于SLC、针对GPU直连IOPS进行优化的产品；另一种是类似HBF定义、针对带宽进行优化的产品。
此外，美光展示了其全面的AI优化存储解决方案。